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방사형 리드-10K 배리스터

간단한 설명:

- 고품질 방사형 리드 10K 배리스터 생산을 전문으로 하는 선도적인 제조업체이자 국가 하이테크 기업입니다.
- 안전이 중요한 애플리케이션을 위한 고성능의 안정적인 서지 억제 솔루션 제공에 중점
- 엄격한 품질관리 프로세스와 ISO-9001, ISO-14001 인증시설을 통해 우수한 품질과 신뢰성을 제공하기 위해 최선을 다하고 있습니다.


제품 상세 정보

제품 태그

소개하다

전자 부품 분야의 최고 제조업체이자 국가 핵심 첨단 기술 기업의 최고 생산자로서 우리는 Radial Leaded 10K 배리스터를 소개하게 된 것을 기쁘게 생각합니다.전자 부품이자 국가 핵심 첨단 기술 기업인 당사는 방사형 리드 10K 배리스터를 출시하게 된 것을 기쁘게 생각합니다.이 배리스터는 안전이 중요한 응용 분야에서 신뢰할 수 있는 고품질 서지 억제 솔루션에 대한 증가하는 수요를 충족하도록 설계되었습니다.안전이 중요한 응용 분야에서는 신뢰할 수 있는 고품질 서지 억제 솔루션에 대한 수요가 증가하고 있습니다.성능과 신뢰성을 최우선으로 생각하는 당사의 방사형 리드 10K 배리스터는 중요한 전자 시스템에서 우수한 전압 조정 및 서지 억제를 위한 동급 최고의 솔루션을 찾는 고객이 선택하는 성능 및 선택입니다.신뢰성은 중요한 전자 시스템에서 우수한 전압 조정 및 서지 억제를 가능하게 하는 동급 최고의 솔루션을 찾는 고객을 위한 완벽한 선택입니다.

주요 판매 포인트

● 고성능: 방사상 리드 10K 배리스터는 안전이 중요한 응용 분야에서 탁월한 서지 억제 및 안정적인 작동을 제공하도록 설계되었습니다.
● 우수한 품질: 당사의 배리스터는 엄격한 품질 관리 조치를 거쳐 높은 품질과 일관된 성능을 보장하고 안전이 중요한 부품에 대한 최고 산업 표준을 충족합니다.
● ISO 인증 시설: 당사 제품은 ISO-9001 및 ISO-14001 인증 시설에서 제조되어 안정성, 신뢰성 및 환경적 책임을 보장합니다.
● 광범위한 응용 분야: 이 배리스터는 안전이 중요한 다양한 응용 분야에 적합하며 중요한 전자 시스템에 대한 효과적인 서지 억제 및 전압 조절 기능을 제공합니다.
● 전문 지식 및 경험: 다년간의 배리스터 제조 경험을 바탕으로 당사는 안전이 중요한 응용 분야에서 고객의 기대를 뛰어 넘는 동급 최고의 제품을 제공할 수 있는 전문 지식을 보유하고 있습니다.

압착 리드

201807075b40ce77467c0

직선 리드

201807075b40ce77467c0

부품 번호 배리스터 디스크의 정격 직경
±20%(mm)
D최대
(mm)
티맥스
(mm)
L1max
(mm)
L2max
(mm)
A±1.0
(mm)
B±1.0
(mm)
d±0.1
(mm)
MYN12-180K
(10KAC11)
10 12.2 3.9 15 25 7.5 1.4 0.8
MYN12-220K
(10KAC14)
10 12.2 4 15 25 7.5 1.4 0.8
MYN12-270K
(10KAC17)
10 12.2 4.1 15 25 7.5 1.5 0.8
MYN12-330K
(10KAC20)
10 12.2 4.2 15 25 7.5 1.6 0.8
MYN12-390K
(10KAC25)
10 12.2 4.4 15 25 7.5 1.7 0.8
MYN12-470K
(10KAC30)
10 12.2 4.6 15 25 7.5 1.8 0.8
MYN12-560K
(10KAC35)
10 12.2 4.8 15 25 7.5 2 0.8
MYN12-680K
(10KAC40)
10 12.2 5.1 15 25 7.5 2.2 0.8
MYN12-820K
(10KAC50)
10 12.2 4.1 15 25 7.5 1.5 0.8
MYN12-101K
(10KAC60)
10 12.2 4.2 15 25 7.5 1.6 0.8
MYN12-121K
(10KAC75)
10 12.2 4.4 15 25 7.5 1.7 0.8
MYN12-151K
(10KAC95)
10 12.2 4.7 15 25 7.5 1.9 0.8
MYN12-201K
(10KAC130)
10 12.2 4.5 15 25 7.5 1.8 0.8
MYN12-221K
(10KAC140)
10 12.2 4.6 15 25 7.5 1.9 0.8
MYN12-241K
(10KAC150)
10 12.2 4.8 15 25 7.5 1.9 0.8
MYN12-271K
(10KAC175)
10 12.2 4.9 15 25 7.5 2 0.8
MYN12-331K
(10KAC210)
10 12.2 5.3 15 25 7.5 2.3 0.8
MYN12-361K
(10KAC230)
10 12.2 5.4 15 25 7.5 2.4 0.8
MYN12-391K
(10KAC250)
10 12.2 5.6 15 25 7.5 2.5 0.8
부품 번호 배리스터 디스크의 정격 직경
±20%(mm)
D최대
(mm)
티맥스
(mm)
L1max
(mm)
L2max
(mm)
A±1.0
(mm)
B±1.0
(mm)
d±0.1
(mm)
MYN12-431K
(10KAC275)
10 12.2 5.8 15 25 7.5 2.6 0.8
MYN12-471K
(10KAC300)
10 12.2 6 15 25 7.5 2.8 0.8
MYN12-511K
(10KAC320)
10 12.2 6.3 15 25 7.5 2.9 0.8
MYN12-561K
(10KAC350)
10 12.2 6.6 15 25 7.5 3.1 0.8
MYN12-621K
(10KAC385)
10 13.5 6.9 17 25 7.5 3.3 0.8
MYN12-681K
(10KAC420)
10 13.5 7.2 17 25 7.5 3.5 0.8
MYN12-751K
(10KAC460)
10 13.5 7.6 17 25 7.5 3.7 0.8
MYN12-781K
(10KAC485)
10 13.5 7.8 17 25 7.5 3.8 0.8
MYN12-821K
(10KAC510)
10 13.5 8 17 25 7.5 4 0.8
MYN12-911K
(10KAC550)
10 13.5 8.5 17 25 7.5 4.3 0.8
MYN12-102K
(10KAC625)
10 13.5 9 17 25 7.5 4.6 0.8
MYN12-112K
(10KAC680)
10 13.5 9.6 17 25 7.5 5 0.8
MYN12-182K
(10KAC1000)
10 13.5 13.6 17 25 7.5 7.4 0.8
부품 번호 배리스터
전압
VC (V)
최대.
계속
전압
ACrms(V)/DC(V)
최대.
클램핑
전압
Vp(V)/Ip(A)
최대.피크 전류
(8/20us)
아이맥스×1(A)
최대.피크 전류
(8/20us)
아이맥스×2(A)
정격 전력
P(W)
최대.
에너지
10/1000us
W최대(J)
최대.
에너지
2ms
W최대(J)
정전 용량
(1KHZ)
소비전력(Pf)
MYN12-180K
(10KAC11)
18
(16~20)
11/14 36/5 1000 500 0.05 2.6 2.2 16000
MYN12-220K
(10KAC14)
22
(20~24)
14/18 43/5 1000 500 0.05 3.2 2.6 11000
MYN12-270K
(10KAC17)
27
(24~30)
17/22 53/5 1000 500 0.05 3.9 3.2 8000
MYN12-330K
(10KAC20)
33
(30-36)
20/26 65/5 1000 500 0.05 4.8 4 6300
MYN12-390K
(10KAC25)
39
(35~43)
25/31 77/5 1000 500 0.05 5.6 4.7 5200
MYN12-470K
(10KAC30)
47
(42~52)
30/38 93/5 1000 500 0.05 6.8 5.6 4600
MYN12-560K
(10KAC35)
56
(50~62)
35/45 110/5 1000 500 0.05 8.1 6.7 3750
MYN12-680K
(10KAC40)
68
(61~75)
40/56 135/5 1000 500 0.05 9.8 8.2 2800
MYN12-820K
(10KAC50)
82
(74~90)
50/65 135/25 3500 2500 0.4 14 10 2000
MYN12-101K
(10KAC60)
100
(90~110)
60/85 165/25 3500 2500 0.4 17 12 1700
MYN12-121K
(10KAC75)
120
(108~132)
75/100 200/25 3500 2500 0.4 20 14.5 1400
MYN12-151K
(10KAC95)
150
(135~165)
95/125 250/25 3500 2500 0.4 25 18 1100
MYN12-201K
(10KAC130)
200
(180~220)
130/170 340/25 3500 2500 0.4 35 25 430
MYN12-221K
(10KAC140)
220
(198~242)
140/180 360/25 3500 2500 0.4 39 27.5 410
MYN12-241K
(10KAC150)
240
(216~264)
150/200 395/25 3500 2500 0.4 42 30 380
MYN12-271K
(10KAC175)
270
(243~297)
175/225 455/25 3500 2500 0.4 49 35 350
MYN12-331K
(10KAC210)
330
(297~363)
210/270 545/25 3500 2500 0.4 58 42 300
MYN12-361K
(10KAC230
360
(324~396)
230/300 595/25 3500 2500 0.4 65 45 300
MYN12-391K
(10KAC250)
390
(351~429)
250/320 650/25 3500 2500 0.4 70 50 300
부품 번호 배리스터
전압
VC (V)
최대.
계속
전압
ACrms(V)/DC(V)
최대.
클램핑
전압
Vp(V)/Ip(A)
최대.피크 전류
(8/20us)
아이맥스×1(A)
최대.피크 전류
(8/20us)
아이맥스×2(A)
정격 전력
P(W)
최대.
에너지
10/1000us
W최대(J)
최대.
에너지
2ms
W최대(J)
정전 용량
(1KHZ)
소비전력(Pf)
MYN12-431K
(10KAC275)
430
(387~473)
275/350 710/25 3500 2500 0.4 80 55 270
MYN12-471K
(10KAC300)
470
(423~517)
300/385 775/25 3500 2500 0.4 85 60 230
MYN12-511K
(10KAC320)
510
(459~561)
320/410 845/25 3500 2500 0.4 92 67 210
MYN12-561K
(10KAC350)
560
(504~616)
350/460 910/25 3500 2500 0.4 92 67 200
MYN12-621K
(10KAC385)
620
(558~682)
385/505 1025/25 3500 2500 0.4 92 67 190
MYN12-681K
(10KAC420)
680
(612~748)
420/560 1120/25 3500 2500 0.4 92 67 170
MYN12-751K
(10KAC460)
750
(675~825)
460/615 1240/25 3500 2500 0.4 100 70 160
MYN12-781K
(10KAC485)
780
(702~858)
485/640 1290/25 3500 2500 0.4 105 75 150
MYN12-821K
(10KAC510)
820
(738~902)
510/670 1355/25 3500 2500 0.4 110 80 140
MYN12-911K
(10KAC550)
910
(819~1001)
550/745 1500/25 3500 2500 0.4 130 90 120
MYN12-102K
(10KAC625)
1000
(900~1100)
625/825 1650/25 3500 2500 0.4 140 100 110
MYN12-112K
(10KAC680
1100
(990~1210)
680/895 1815/25 3500 2500 0.4 155 110 110
MYN12-182K
(10KAC1000)
1800
(1620~1980)
1000/1465 2970/25 3500 2500 0.4 247 183 70

제품 세부 정보

특히 안전이 최우선인 응용 분야에서 전압을 정밀하게 제어하고 전자 회로의 서지를 줄이는 데 사용됩니다.스파이크 및 서지를 방지하여 정밀 전자 부품을 보호하고 중요한 전자 시스템의 신뢰성과 안전성을 보장합니다.안전이 중요한 다양한 애플리케이션을 위해 이 배리스터는 전압 조정 및 서지 억제 기능을 제공합니다.안전이 가장 중요하며 이러한 배리스터는 전압 조절 및 서지 억제 기능을 제공합니다.

당사의 배리스터는 신뢰할 수 있고 지속적인 성능을 제공하기 위해 첨단 재료와 최첨단 제조 기술을 사용하여 생산됩니다.방사형 리드 10K 설계는 안전에 중요한 구성 요소의 서지 억제 요구 사항에 대한 안정적인 솔루션을 제공하고 신뢰할 수 있으며 전자 회로에 설치 및 통합이 쉽습니다.안전에 중요한 구성 요소에 대한 서지 억제 요구 사항을 충족하고 전자 회로에 쉽게 통합됩니다.

품질과 고객 만족에 대한 변함없는 헌신으로 인해 우리는 절차와 제품을 개선하기 위해 지속적으로 노력하고 있습니다.당사의 배리스터가 안전이 중요한 응용 분야에 대한 최고의 품질 및 성능 표준을 충족하도록 보장하기 위해 당사는 신중한 재료 선택부터 철저한 제품 테스트에 이르기까지 전체 제조 공정에서 엄격한 품질 표준을 준수합니다.

전체적으로 당사의 방사상 리드 10K 배리스터는 안전이 중요한 응용 분야에서 안정적인 고성능 서지 억제를 위한 최선의 선택입니다.우리의 배리스터는 귀하의 기대를 뛰어넘을 것이며 품질과 고객 만족을 위해 최선을 다하고 있기 때문에 안전이 중요한 전자 응용 분야에 필요한 정확한 전압 조절 및 서지 억제 기능을 제공할 것입니다.


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