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방사형 리드-07K의 배리스터

간단한 설명:

- 고성능 방사형 리드-07K 배리스터는 회로에 안정적인 과전압 보호 기능을 제공합니다.
- 고품질 레이디얼 리드 07K 배리스터 생산을 전문으로 하는 선도적인 제조업체이자 국가 하이테크 기업입니다.
- 고성능의 안정적인 서지 보호 솔루션 제공에 중점
- 우수한 품질과 성능을 제공하기 위해 최선을 다합니다.
- 특정 고객 요구 사항을 충족할 수 있는 사용자 정의 옵션


제품 상세 정보

제품 태그

소개하다

전자 부품 분야의 선두 제조업체이자 국가 첨단 기술 기업으로서 Radial Lead-07K 배리스터를 출시하게 된 것을 기쁘게 생각합니다.이 배리스터는 산업 전반에 걸쳐 고품질의 안정적인 서지 보호 솔루션에 대한 증가하는 수요를 충족하도록 설계되었습니다.성능과 신뢰성에 중점을 둔 방사형 리드 07K 배리스터는 우수한 서지 보호 및 전압 조정을 제공하는 동급 최고의 제품을 찾는 고객에게 이상적입니다.

주요 판매 포인트

● 고성능: 방사형 리드 07K 배리스터는 다양한 애플리케이션에서 탁월한 서지 보호 및 안정적인 작동을 제공하도록 설계되었습니다.
● 우수한 품질: 당사의 배리스터는 엄격한 품질 관리 조치를 거쳐 높은 품질과 일관된 성능을 보장하고 서지 보호에 대한 최고 산업 표준을 충족합니다.
● 광범위한 응용 분야: 이 배리스터는 광범위한 응용 분야에 적합하며 다양한 전자 회로에서 효과적인 서지 억제 및 전압 조정 기능을 제공합니다.
● 사용자 정의 옵션: 당사는 특정 고객 요구 사항을 충족하기 위한 사용자 정의 옵션을 제공하여 해당 응용 분야에 완벽하게 적합하도록 보장하고 전체 시스템 성능을 향상시킵니다.
● 전문성과 경험: 국가첨단기술기업으로서의 위상과 다년간의 배리스터 제조 경험을 바탕으로 고객의 기대를 뛰어넘는 최고 수준의 제품을 공급할 수 있는 전문성을 보유하고 있습니다.

압착 리드

201807075b40bfda08995

직선 리드

201807075b40bfda08995

부품 번호 배리스터 디스크의 정격 직경
±20%(mm)
D최대
(mm)
티맥스
(mm)
L1max
(mm)
L2max
(mm)
A±1.0
(mm)
B±1.0
(mm)
d±0.1
(mm)
MYN9-180K
(07KAC11)
7 9 3.5 13 25 5 1.2 0.6
MYN9-220K
(07KAC14)
7 9 3.6 13 25 5 1.2 0.6
MYN9-270K
(07KAC17)
7 9 3.7 13 25 5 1.3 0.6
MYN9-330K
(07KAC20)
7 9 3.8 13 25 5 1.4 0.6
MYN9-390K
(07KAC25)
7 9 4 13 25 5 1.5 0.6
MYN9-470K
(07KAC30)
7 9 4.2 13 25 5 1.6 0.6
MYN9-560K
(07KAC35)
7 9 4.4 13 25 5 1.8 0.6
MYN9-680K
(07KAC40)
7 9 4.7 13 25 5 2 0.6
MYN9-820K
(07KAC50)
7 9 3.7 13 25 5 1.3 0.6
MYN9-101K
(07KAC60)
7 9 3.8 13 25 5 1.4 0.6
MYN9-121K
(07KAC75)
7 9 4 13 25 5 1.5 0.6
MYN9-151K
(07KAC95)
7 9 4.3 13 25 5 1.7 0.6
MYN9-201K
(07KAC130)
7 9 4.1 13 25 5 1.6 0.6
MYN9-221K
(07KAC140)
7 9 4.2 13 25 5 1.7 0.6
MYN9-241K
(07KAC150)
7 9 4.4 13 25 5 1.7 0.6
MYN9-271K
(07KAC175)
7 9 4.5 13 25 5 1.8 0.6
MYN9-331K
(07KAC210)
7 9 4.9 13 25 5 2.1 0.6
MYN9-361K
(07KAC230)
7 9 5 13 25 5 2.2 0.6
MYN9-391K
(07KAC250)
7 9 5.2 13 25 5 2.3 0.6
부품 번호 배리스터 디스크의 정격 직경
±20%(mm)
D최대
(mm)
티맥스
(mm)
L1max
(mm)
L2max
(mm)
A±1.0
(mm)
B±1.0
(mm)
d±0.1
(mm)
MYN9-431K
(07KAC275)
7 9 5.4 13 25 5 2.4 0.6
MYN9-471K
(07KAC300)
7 9 5.6 13 25 5 2.6 0.6
MYN9-511K
(07KAC320)
7 9 5.9 13 25 5 2.7 0.6
MYN9-561K
(07KAC350)
7 9 6.2 13 25 5 2.9 0.6
부품 번호 배리스터 전압
VC (V)
최대.계속
전압
ACrms(V)/DC(V)
최대.
클램핑
전압
Vp(V)/Ip(A)
최대.
피크 전류
(8/20us)
아이맥스×1(A)
최대.
피크 전류
(8/20us)
아이맥스×2(A)
정격 전력
P(W)
최대.
에너지
10/1000 미국
W최대(J)
최대.
에너지
2ms
W최대(J)
정전 용량
(1KHZ)
소비전력(Pf)
MYN9-180K
(07KAC11)
18
(16~20)
11/14 36/2.5 500 250 0.02 1.1 0.9 3800
MYN9-220K
(07KAC14)
22
(20~24)
14/18 43/2.5 500 250 0.02 1.3 1.1 3600
MYN9-270K
(07KAC17
27
(24~30)
17/22 53/2.5 500 250 0.02 1.6 1.3 3400
MYN9-330K
(07KAC20)
33
(30-36)
20/26 65/2.5 500 250 0.02 2 1.6 2900
MYN9-390K
(07KAC25
39
(35~43)
25/31 77/2.5 500 250 0.02 2.4 1.9 1600
MYN9-470K
(07KAC30
47
(42~52)
30/38 93/2.5 500 250 0.02 2.8 2.3 1550
MYN9-560K
(07KAC35)
56
(50~62)
35/45 110/2.5 500 250 0.02 3.4 2.7 1500
MYN9-680K
(07KAC40)
68
(61~75)
40/56 135/2.5 500 250 0.02 4.1 3.3 1200
MYN9-820K
(07KAC50
82
(74~90)
50/65 135/10 1750년 1250 0.25 7 5 810
MYN9-101K
(07KAC60)
100
(90~110)
60/85 165/10 1750년 1250 0.25 8.5 6 700
MYN9-121K
(07KAC75
120
(108~132)
75/100 200/10 1750년 1250 0.25 10 7 590
MYN9-151K
(07KAC95)
150
(135~165)
95/125 250/10 1750년 1250 0.25 13 9 500
MYN9-201K
(07KAC130)
200
(180~220)
130/170 340/10 1750년 1250 0.25 17.5 12.5 200
MYN9-221K
(07KAC140)
220
(198~242)
140/180 360/10 1750년 1250 0.25 19 13.5 190
MYN9-241K
(07KAC150)
240
(216~264)
150 395/10 1750년 1250 0.25 21 15 170
MYN9-271K
(07KAC175)
270
(243~297)
175/225 455/10 1750년 1250 0.25 24 17 150
MYN9-331K
(07KAC210)
330
(297~363)
210/270 545/10 1750년 1250 0.25 28 20 130
MYN9-361K
(07KAC230)
360
(324~396)
230/300 595/10 1750년 1250 0.25 32 23 130
MYN9-391K
(07KAC250)
390
(351~429)
250/320 650/10 1750년 1250 0.25 35 25 130
부품 번호 배리스터 전압
VC (V)
최대.계속
전압
ACrms(V)/DC(V)
최대.
클램핑
전압
Vp(V)/Ip(A)
최대.
피크 전류
(8/20us)
아이맥스×1(A)
최대.
피크 전류
(8/20us)
아이맥스×2(A)
정격 전력
P(W)
최대.
에너지
10/1000 미국
W최대(J)
최대.
에너지
2ms
W최대(J)
정전 용량
(1KHZ)
소비전력(Pf)
MYN9-431K
(07KAC275)
430
(387~473)
275/350 710/10 1750년 1250 0.25 40 27.5 120
MYN9-471K
(07KAC300)
470
(423~517
300/385 775/10 1750년 1250 0.25 42 30 100
MYN9-511K
(07KAC320)
510
(459~561)
320/410 845/10 1750년 1250 0.25 45 32 90
MYN9-561K
(07KAC350)
560
(504~616)
350/460 910/10 1750년 1250 0.25 46 33 80

제품 세부 정보

당사의 방사형 리드 07K 배리스터는 전자 회로에 정밀한 서지 보호 및 전압 조정을 제공하도록 설계되었습니다.서지 억제 디스크 금속 산화물 배리스터는 전압 스파이크 및 서지를 효과적으로 제한하여 민감한 전자 부품을 보호하고 전자 시스템의 신뢰성과 수명을 보장합니다.이 배리스터는 서지 보호 및 전압 조정 기능을 제공하므로 광범위한 애플리케이션에 적합합니다.

당사의 배리스터는 일관된 성능과 신뢰성을 제공하도록 설계된 첨단 재료와 최첨단 공정을 사용하여 제조됩니다.방사형 리드 07K 설계를 통해 전자 회로에 쉽게 설치하고 통합할 수 있어 서지 보호 요구 사항에 맞는 안정적인 솔루션을 제공합니다.

또한, 품질과 고객 만족에 대한 확고한 약속으로 인해 제품과 프로세스를 지속적으로 개선하고 있습니다.우리는 신중한 재료 선택부터 포괄적인 제품 테스트에 이르기까지 전체 제조 공정에 걸쳐 엄격한 품질 표준을 준수하여 배리스터가 최고의 품질 및 성능 요구 사항을 충족하도록 보장합니다.

요약하면 당사의 방사상 리드 07K 배리스터는 안정적인 고성능 서지 보호 솔루션의 정점을 나타냅니다.품질과 고객 만족에 대한 헌신으로 당사의 배리스터는 귀하의 기대를 뛰어넘고 귀하의 전자 애플리케이션에 필요한 정밀한 서지 보호 및 전압 조절을 제공할 것이라고 확신합니다.


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